Herstellungstechnologien
Es gibt zwei Herstellungstechnologien, die bei der Entwicklung von FPAAs kombiniert werden.

CMOS und BICMOS.

Die CMOS-Technik (Complementary Metal Oxide Semiconductor ) arbeitet mit p- und n-Kanal Feldeffekttransistoren (FETs). Diese Technik ist sehr leistungssparend, jedoch ist die Ausgangsleistung gering.

Die BICMOS-Technik (Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor) arbeitet mit p-und n-Kanal-FETs der CMOS-Technik und mit bipolaren pnp-und npn-Transistoren. Bipolare Transistoren haben eine größere Ausgangsleistung als FETs.

Zur Information über die beiden Herstellungsprozesse haben wir folgende Internetadressen angegeben, deren Inhalte, unserer Meinung nach, sehr ausführlich und informativ sind.

Allgemein ist die Seite: http://smile.unibw-hamburg.de zu empfehlen, da sie alles wissenswerte über Halbleitertechnik vermitteln.

CMOS-Prozess:

http://smile.unibw-hamburg.de/Herstellungsprozesse/CMOSProzess.htm

BICMOS-Prozess:

www.ife.tugraz.at/LV/Skripten/is_vo_p.pdf

Bipolare Transistoren:

www.whm.tu-hamburg.de/material/hs/hast/FH-Karlsruhe/ic_tech.pdf